功率半导体与能源系统创新发展论坛成功举办

中国电子信息产业发展研究院副院长王世江在致辞中提到，今年年初,工信部等六部委联合发布了《关于推动能源电子产业发展的指导意见》。功率半导体将强电和弱电连接起来，是能源电子产业中的关键信息技术产品，在出口“新三样”的锂电池、新能源汽车、太阳能电池中应用广泛，市场规模持续增长。未来随着功率半导体的不断发展、成本降低以及性能提升，将会推动直流电的发展。功率半导体与能源系统的融合创新，对助力实现碳达峰碳中和，推动经济社会绿色可持续发展具有重要作用。

特邀嘉宾国家第三代半导体技术创新中心主任张鲁川在致辞中指出，宽禁带半导体作为功率半导体领域的新兴势力，处在全球半导体技术和产业的前沿领域，是助力我国战略性新兴产业布局和发展的关键力量，对国家的能源安全具有重大的战略意义。目前我国宽禁带半导体产业在全国产业链的统筹推进下取得了长足的进步。国家技术创新中心是习近平总书记亲自提出的创新载体，期盼与各行业的专家，各业界的同仁，开展鼎力的协作，加强原创技术的供给，强化产学研用联合，推动跨学科、跨领域的创新格局的形成，共同构筑自主创新的核心圈和产业发展的朋友圈。

株洲中车时代电气股份有限公司中车科学家刘国友在《功率半导体，从硅基到化合物衬底的技术进阶与挑战》报告中提出，目前硅基功率半导体的结构与工艺正在向极致化发展，宽禁带功率半导体的技术也更趋于成熟，从硅基到化合物衬底的产业生态将长期共存。

深圳基本半导体有限公司副总经理喻双柏在《车规级碳化硅功率模块封装技术探讨》报告中提出，碳化硅器件的高功率密度、高结温特性、高频特性要求现有封装技术持续创新，并分享了碳化硅功率模块的关键封装工艺技术。

国家电网智能电网研究院功率半导体器件研究所教授级工程师杨霏在《电力系统高压碳化硅MOSFET器件研究及应用进展》报告中分享了碳化硅高压MOSFET器件与电力电子变压器的研制进展，并提出碳化硅材料、芯片、封装、装置应用需要协同研发，加速高压大功率高可靠性器件产品化进程。